檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "Bohr-Ran Huang".ecommittee (精準) and cdept.raw="應用科技研究所"
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本研究探討製備p-Cu2O/n-ZnO及p-Cu2O/n-AZO異質接面型太陽能電池,首先製備p-Cu2O主要分為兩種方式,分別為RF氧氣電漿與微波電漿;其次n-ZnO與n-AZO主要以濺鍍法製…
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本研究目的在開發高阻值(≧3 kΩ)以及低TCR值(±25 ppm/℃)之薄膜電阻元件。實驗材料系統可分為氮化鉭(TaN)、共濺鍍氮化鉭與銅複合膜(TaN/Cu)以及氮化氧鈦(TiNO),三種材料系…
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近年來,傳統浮動閘極記憶體面臨尺寸微縮的挑戰,例如在穿隧氧化層之非揮發性記憶體在一個很長的操作期間,容易地產生漏電流路徑,因此,分散的儲存電荷之奈米晶結構是下一代非揮發性記憶體元件結構。 本實驗以濺…
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本研究是採用射頻磁控濺鍍法於康寧玻璃型號1737 基板沉積微晶矽鍺薄膜,使用的靶材為鍺錠貼附於矽靶上並控制鍺元素原子比20 % 來共鍍沉積,在沉積過程中加熱基板至150oC,並控制不同的氫氣與氬氣的…